圣邦微电子推出 SGMNQ36430,圣邦一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。微电该器件可应用于 CPU电源传输、推出DC/DC转换器、单道功功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。圣邦
SGMNQ36430 的微电主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS= 10V 时,推出其导通电阻典型值为 2.9mΩ,单道功最大值为 3.6mΩ,圣邦能够有效减少功率损耗。微电同时,推出总栅极电荷仅为 22.7nC(VGS= 10V),单道功有助于降低开关过程中的圣邦能量损失。此外,微电其封装尺寸为 3.3×3.3mm²,推出较为紧凑,适合在有限的 PCB空间内使用。产品符合 RoHS 标准且无卤素,满足环保要求。
在性能参数方面,SGMNQ36430 的最大漏源电压为 30V,最大漏极电流在外壳温度 25℃ 时可达 75A,在 100℃ 时为 47A。脉冲漏极电流最高为 160A,适用于短时高电流脉冲场景。其雪崩电流为 38A,雪崩能量为 72.2mJ,能够在一定程度上承受反向恢复过程中的能量冲击。SGMNQ36430 采用符合环保理念的 PDFN-3.3×3.3-8L 绿色封装,工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃,存储温度范围相同,适应多种工作环境。
电气特性方面,器件的漏源击穿电压不低于 30V,零栅极电压时漏极电流小于等于 1µA,栅极漏电流在 ±20V 的 VGS下小于等于 100nA。栅极阈值电压在 1.2V 至 2.2V 之间,确保稳定的开关控制。动态特性上,输入电容为 1028pF,输出电容为 876pF,反向转移电容为 57pF,这些参数决定了其在高频开关应用中的性能表现。

图 1 SGMNQ36430 等效电路
关于圣邦微电子
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